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MC14049BDR2G缓冲器和线路驱动器-型号参数
更新时间 2023-08-01 16:54
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技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MC14049BDR2G |
封装: | S0P-16 |
批号: | 21+ |
数量: | 16956 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 缓冲器和线路驱动器 |
RoHS: | 是 |
输入线路数量: | 6 Input |
输出线路数量: | 6 Output |
极性: | Inverting |
高电平输出电流: | - 4.7 mA |
低电平输出电流: | 30 mA |
静态电流: | 6 nA |
电源电压-最大: | 18 V |
电源电压-最小: | 3 V |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 125 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-16 |
功能: | Buffer/Converter |
高度: | 1.5 mm |
长度: | 10 mm |
系列: | MC14049B |
宽度: | 4 mm |
逻辑系列: | 4000 |
逻辑类型: | CMOS |
通道数量: | 5 |
电源电流—最大值: | 4 uA |
输入信号类型: | Single-Ended |
工作电源电压: | 3 V to 18 V |
传播延迟时间: | 140 ns at 5 V, 80 ns at 10 V, 60 ns at 15 V |
单位重量: | 666 mg |
MC14049B六进制反相器/缓冲器和MC14050B非反相六进制缓冲器由单片结构中的MOS P−通道和N−通道增强模式器件构成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪声性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD来提供逻辑电平转换。输入−信号高电平(VIH)可能超过逻辑电平转换的VDD电源电压。当器件用作CMOS−到−TTL/DTL转换器(VDD=5.0 V,VOL≤0.4 V,IOL≥3.2 mA)时,可以驱动两个TTL/DTL负载。注意,引脚13和16在这些设备上没有内部连接;因此到这些端子的连接将不会影响电路操作。
功能:
•高源和汇电流
•高电平至低电平转换器
•电源电压范围=3.0 V至18 V
•VIN可能超过VDD
•符合JEDEC B规范
•改进了所有输入的ESD保护
•汽车和其他需要NLV前缀的应用独特的现场和控制变更要求;AEC−Q100合格且具备PPAP能力
•这些设备不含铅,符合RoHS