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MC14049BDR2G缓冲器和线路驱动器-型号参数

更新时间  2023-08-01 16:54 阅读

MC14049BDR2G.png

技术参数

品牌:ON/安森美
型号:MC14049BDR2G
封装:S0P-16
批号:21+
数量:16956
制造商:ON Semiconductor
产品种类:缓冲器和线路驱动器
RoHS:
输入线路数量:6 Input
输出线路数量:6 Output
极性:Inverting
高电平输出电流:- 4.7 mA
低电平输出电流:30 mA
静态电流:6 nA
电源电压-最大:18 V
电源电压-最小:3 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 125 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-16
功能:Buffer/Converter
高度:1.5 mm
长度:10 mm
系列:MC14049B
宽度:4 mm
逻辑系列:4000
逻辑类型:CMOS
通道数量:5
电源电流—最大值:4 uA
输入信号类型:Single-Ended
工作电源电压:3 V to 18 V
传播延迟时间:140 ns at 5 V, 80 ns at 10 V, 60 ns at 15 V
单位重量:666 mg

MC14049B六进制反相器/缓冲器和MC14050B非反相六进制缓冲器由单片结构中的MOS P−通道和N−通道增强模式器件构成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪声性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD来提供逻辑电平转换。输入−信号高电平(VIH)可能超过逻辑电平转换的VDD电源电压。当器件用作CMOS−到−TTL/DTL转换器(VDD=5.0 V,VOL≤0.4 V,IOL≥3.2 mA)时,可以驱动两个TTL/DTL负载。注意,引脚13和16在这些设备上没有内部连接;因此到这些端子的连接将不会影响电路操作。

功能:

•高源和汇电流

•高电平至低电平转换器

•电源电压范围=3.0 V至18 V

•VIN可能超过VDD

•符合JEDEC B规范

•改进了所有输入的ESD保护

•汽车和其他需要NLV前缀的应用独特的现场和控制变更要求;AEC−Q100合格且具备PPAP能力

•这些设备不含铅,符合RoHS