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NVMFS6H800NT1G分立半导体产品晶体管-技术资料
更新时间 2023-10-18 15:08
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技术参数
| 品牌： | ON(安森美) |
| 型号： | NVMFS6H800NT1G |
| 封装： | SO-8 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 200000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8FL |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 203 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.1 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 85 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 200 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 正向跨导 - 最小值： | 138 S |
| 下降时间： | 85 ns |
| 上升时间： | 89 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 97 ns |
| 典型接通延迟时间： | 25 ns |
| 单位重量： | 190 mg |
特点
•占地面积小（5x6 mm），设计紧凑
•低RDS（开启）以最大限度地减少传导损耗
•低QG和电容，最大限度地减少驱动器损耗
•NVMFS6H800NWF−可湿性侧翼选项，用于增强型光学视察
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
